本品能快速高效地從晶片表面去除CMP殘留的磨料粒子、粉塵粒子、金屬離子和有機(jī)殘留物，并保護(hù)硅片免受腐蝕，高效清潔晶片基材表面。對(duì)人員和環(huán)境友好，廢水處理簡(jiǎn)單。

a) 經(jīng)濟(jì)性：本品為濃縮液可稀釋20倍，經(jīng)濟(jì)價(jià)值高。

b) 高效性：能快去除磨料粒子、有機(jī)殘留物、金屬離子和細(xì)微顆粒。

c) 安全性：對(duì)晶片和半導(dǎo)體材料無(wú)腐蝕。

d) 抗腐蝕性強(qiáng)：60℃恒溫浸泡170小時(shí)硅片無(wú)腐蝕。

e) 環(huán)保性：不含氨氮、磷等禁用物質(zhì)，不含金屬離子對(duì)人員和環(huán)境友好，廢水處理簡(jiǎn)單，屬于環(huán)保型產(chǎn)品。 

根據(jù)實(shí)際工作條件，可采用噴淋清洗、超聲波清洗等使用方法，一般建議采用原液加溫至45℃～65℃對(duì)半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行清洗，清洗時(shí)間可根據(jù)實(shí)際情況控制在3min～10min左右；清洗完成后用去離子水或超純水清洗，清洗的次數(shù)和時(shí)間由現(xiàn)場(chǎng)工藝要求來(lái)決定。