本品是由多種高效、環(huán)保清洗材料復(fù)合而成，對蝕刻或灰化后沉積在半導(dǎo)體基板或介電材料層上的殘留物（光刻膠殘留物、有機(jī)金屬化合物、金屬氧化物、金屬氮化物等）有優(yōu)異的清潔能力，而對曝露的襯底材料無腐蝕。

a) 高效性：快速溶解各種殘留物并使其脫落，操作簡單方便。

b) 安全性：對曝露的襯底材料無腐蝕。

C)環(huán)保性：不含氨氮和磷等禁用物質(zhì)，易降解，屬于環(huán)保型產(chǎn)品。 

根據(jù)實(shí)際工作條件，可采用浸泡清洗、超聲波清洗等使用方法，一般建議采用原液加溫至40℃～65℃使用，清洗時(shí)間可根據(jù)實(shí)際情況控制在3min～15min左右；清洗完成后用去離子水后超純水清洗，清洗的次數(shù)和時(shí)間由現(xiàn)場工藝要求來決定。